В Томске открыли мемориальную доску академику Виктору Панину

В четверг, 9 февраля, в День российской науки в Томске торжественно открыли мемориальную доску в честь основателя Института физики прочности и материаловедения СО РАН академика Виктора Панина.

В четверг, 9 февраля, в День российской науки в Томске торжественно открыли мемориальную доску в честь основателя Института физики прочности и материаловедения СО РАН академика Виктора Панина. На открытии, сообщили в пресс-службе администрации Томской области, у главного корпуса вуза собрались коллеги, ученики, родственники ученого. Они выступили с теплыми словами, затем возложили цветы к мемориальной доске.

Виктор Евгеньевич Панин заложил основы научной школы металлофизиков и материаловедов, ставшей широко известной и в России, и за рубежом. Панин заложил базу института, строил корпуса, создал научные школы, воспитал 150 кандидатов и 70 докторов наук, которые и по сей день занимаются исследованиями по физики пластичности и прочности. В этот же день в институте провели городской научный семинар, посвященный Дню науки. Традиция его проведения также заложена Виктором Паниным.


Последние новости

Сервоприводы в быту и на производстве: где чаще ломаются и почему

Разбираемся, кто из них «падает» первым — домашние помощники или индустриальные титаны

Сезон благоустройства в городе наступит совсем скоро.

Подготовка к нему идёт полным ходом: проводятся электронные аукционы по определению подрядчика, заключаются  контракты запланированные  на 2025-й год работы.

Филиал детского сада «Росинка» открыли в микрорайоне Нижняя Лисиха

Открытие структурного подразделения детского сада № 20 «Росинка» прошло в Иркутске в микрорайоне Нижняя Лисиха.

ПРОБЛЕМУ РЕШАЕМ

По инициативе мэра города Александра Ермакова 3 апреля в Центре народного творчества прошла встреча с представителями садоводческих товариществ.

Здесь вы можете узнать о лучших предложениях и выгодных условиях, чтобы купить квартиру в Златоусте

Комментарии (0)

Добавить комментарий

Ваш email не публикуется. Обязательные поля отмечены *